場效應(yīng)晶體管(Field EffectTransistor縮寫(FET))簡稱或者場效應(yīng)管。貼片電容可分為無極性和有極性兩類，無極性電容下述兩類封裝最為常見，即0805、0603；而有極性電容也就是我們平時所稱的電解電容，一般我們平時用的最多的為鋁電解電容，由于其電解質(zhì)為鋁，所以其溫度穩(wěn)定性以及精度都不是很高，而貼片元件由于其緊貼電路版，所以要求溫度穩(wěn)定性要高。也稱為一個單極型晶體管。它屬于不同電壓進行控制型半導(dǎo)體電子器件。具有中國輸入輸出電阻高(108～109Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)管理范圍大、易于實現(xiàn)集成、沒有得到二次發(fā)生擊穿實驗現(xiàn)象、安全教育工作發(fā)展區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已逐漸成為雙極型晶體管和功率以及晶體管的強大市場競爭者。場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。

與雙極晶體管相比，其具有以下特征

(1) FET 是一種電壓控制器件， VGS 控制 ID;

(2)場效應(yīng)管的輸入電流很小，因此其輸入電阻很大;

(3)它是可以利用企業(yè)多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性具有較好;

(4)它組成的放大系統(tǒng)電路的電壓進行放大系數(shù)要小于三極管組成部分放大控制電路的電壓信號放大系數(shù);

(5)場效應(yīng)晶體管具有較強的抗輻射能力;

(6)由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

場效應(yīng)管與普通產(chǎn)品晶體納米管有何異同

FET 是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。當(dāng)信號源允許的電流較小時，應(yīng)使用場效應(yīng)晶體管; 當(dāng)信號電壓較低且信號源允許的電流較大時，應(yīng)使用場效應(yīng)晶體管。場效應(yīng)晶體管(FET)是一種利用大多數(shù)載流子導(dǎo)電的雙極性器件，因此被稱為單極性器件。

場效應(yīng)管的優(yōu)點

場效應(yīng)晶體管(FET)是一種單極半導(dǎo)體器件，其中電場效應(yīng)控制著電流的大小。它具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等優(yōu)點。它被用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路。場效應(yīng)器件以其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)點逐漸取代了集成電路中的晶體管。但它仍然很脆弱，雖然現(xiàn)在大多數(shù)都有內(nèi)置的保護二極管，但很少注意，也會受到損壞。所以在你的申請中要小心。

主要作用

1.FET可用于放大。由于FET放大器的輸入阻抗很高，耦合電容的容量可以很小，所以不需要使用電解電容。

2.場效應(yīng)管很高的輸入輸出阻抗具有非常適合作交流阻抗進行變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3.場效應(yīng)管可以直接用作一個可變電阻。

4. 場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

場效應(yīng)管可用作電子開關(guān)。